تأثير نوع العقلة وبيئات الزراعة في تجذير العقل الساقية لنبات الرمان Punicugraratum

مرسال, حرم محمد حمدان; مشرف, - فخر الدين عوض حسين

dc.contributor.author	مرسال, حرم محمد حمدان
dc.contributor.author	مشرف, - فخر الدين عوض حسين
dc.date.accessioned	2018-01-29T10:52:35Z
dc.date.available	2018-01-29T10:52:35Z
dc.date.issued	2017-01-01
dc.identifier.citation	مرسال, حرم محمد حمدان.تأثير نوع العقلة وبيئات الزراعة في تجذير العقل الساقية لنبات الرمان/حرم محمد حمدان مرسال؛فخر الدين عوض حسين.-الخرطوم:جامعة السودان للعلوم والتكنولوجيا،كلية الدراسات الزراعية،2017.-27ص:ايض؛28سم.-بكلاريوس.	en_US
dc.identifier.uri	http://repository.sustech.edu/handle/123456789/20201
dc.description	بكلاريوس	en_US
dc.description.abstract	نفذت التجارب في مشتل الفاكهة التابع لقسم علوم البساتين- كلية الدراسات الزراعية- جامعة السودان للعلوم والتكنلوجيا في الفترة من 12 يناير- 12 فبراير 2017 لدراسة تأثير نوع العقلة وبيئات الزراعة في التجذير ومعدل عدد الأفرع / الشتلة ، وطول الفرع، ومعدل عدد الاوراق/ شتلة للعقل الساقية لنبات الرمان.وتم إستخدام التصميم العشوائي الكامل ( CRD). أظهرت النتائج إن العقل القاعدية أدت إلى تأثير معنوي في جميع الصفات المدروسة ،كما أظهرت النتائج إن العقل الوسطية أعطت تأثير معنوي على معدل عدد الاوراقومعدل طول الفرع وطول الجذر / الشتلة مقارنة بالعقل الطرفيةالتي أعطت أقل معدلفي جميع الصفات المدروسة. كما أظهرت نتائج التحليل الاحصائي ان هنالك فروقات معنوية بين اوساطالتجذير وبصورة عامة نجدأن استخدام خليط الرمل + القرير (بنسبة 2: 1) اعطى تفوقاً معنوياً في جميع الصفات المدروسة مقارنة بالاوساط الأخرى .كما أظهرت النتائج إن وسط الرمل المنفرد أعطت تأثير معنوي علىعلىمقاييس النمو الخضري (عدد الاوراقوالافرع و طول الفرع/ الشتلة) مقارنة بوسط القرير المنفردوالذى أعطى أقل معدلفي جميع الصفات المدروسة.	en_US
dc.description.sponsorship	جامعة السودان للعلوم والتكنولوجيا	en_US
dc.language.iso	other	en_US
dc.publisher	جامعة السودان للعلوم والتكنولوجيا	en_US
dc.subject	تجذير العقل الساقية	en_US
dc.subject	نوع العقلة	en_US
dc.subject	نبات الرمان	en_US
dc.title	تأثير نوع العقلة وبيئات الزراعة في تجذير العقل الساقية لنبات الرمان Punicugraratum	en_US
dc.type	Thesis	en_US